本公開(kāi)涉及光半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
1、近年，在移動(dòng)體通信系統(tǒng)、云服務(wù)中，數(shù)據(jù)通信量正在迅速地增大，為了高速且大量處理龐大的數(shù)據(jù)通信量，需要光半導(dǎo)體裝置的高速化和大量的光半導(dǎo)體裝置。
2、例如，在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了將半導(dǎo)體激光器和光調(diào)制器集成于同一半導(dǎo)體基板之上，并且分別具有接觸層的光半導(dǎo)體裝置。在該光半導(dǎo)體裝置中，在半導(dǎo)體激光器和光調(diào)制器的上部使用外延生長(zhǎng)方法形成作為p型半導(dǎo)體層的低電阻的接觸層。通過(guò)利用蝕刻除去接觸層中的半導(dǎo)體激光器與光調(diào)制器的連接部位之上的部位來(lái)形成隔離溝槽，從而斷開(kāi)接觸層，抑制相互流動(dòng)的電流。
3、專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2000-275460號(hào)公報(bào)
4、然而，在專(zhuān)利文獻(xiàn)1所公開(kāi)的光半導(dǎo)體裝置中，需要在半導(dǎo)體激光器與光調(diào)制器之間形成隔離溝槽，并且進(jìn)而填埋該隔離溝槽的復(fù)雜的工序，其結(jié)果，工序數(shù)量增加，成為阻礙大量生產(chǎn)的重要因素。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本公開(kāi)是為了解決上述問(wèn)題而做出的，其目的在于，獲得一種不增加工序數(shù)量就能斷開(kāi)接觸層的光半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
2、本公開(kāi)所涉及的光半導(dǎo)體裝置具備：半導(dǎo)體基板；活性層，形成于半導(dǎo)體基板之上，并產(chǎn)生激光；光調(diào)制層，形成于半導(dǎo)體基板之上，與活性層鄰接，并對(duì)激光進(jìn)行調(diào)制；包層，形成于活性層以及光調(diào)制層之上；以及接觸層，形成于包層之上，在光調(diào)制層的上表面，且在活性層側(cè)的端部形成有第1突起，在包層的上表面，且在第1突起的鉛垂上方形成有第2突起，接觸層在激光的光軸方向上被第2突起斷開(kāi)。
3、本公開(kāi)所涉及的光半導(dǎo)體裝置的制造方法具備：在半導(dǎo)體基板之上形成產(chǎn)生激光的活性層的工序；在活性層之上形成絕緣膜的工序；將絕緣膜作為選擇生長(zhǎng)掩模，在半導(dǎo)體基板之上形成與活性層鄰接，并在上表面的活性層側(cè)的端部具有第1突起，且對(duì)激光進(jìn)行調(diào)制的光調(diào)制層的工序；除去絕緣膜的工序；在活性層以及光調(diào)制層之上，形成在第1突起的鉛垂上方的上表面具有第2突起的包層的工序；以及在包層之上，形成在激光的光軸方向上被第2突起斷開(kāi)的接觸層的工序。
4、根據(jù)本公開(kāi)，可以獲得不增加工序數(shù)量就能斷開(kāi)接觸層的光半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
1.一種光半導(dǎo)體裝置，其中，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光半導(dǎo)體裝置，其中，
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光半導(dǎo)體裝置，其中，
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光半導(dǎo)體裝置，其中，
5.一種光半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的光半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，
9.根據(jù)權(quán)利要求5～8中任一項(xiàng)所述的光半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，