本發(fā)明涉及soc存儲器，尤其涉及一種評估soc中flash可靠性的測試方法。
背景技術：
1、非易失性存儲單元flash作為soc的核心數(shù)據(jù)存儲載體，其存儲的數(shù)據(jù)直接影響芯片中模擬單元的性能、系統(tǒng)配置參數(shù)的加載以及程序的正常啟動等關鍵操作。因此，flash存儲器的可靠性是整體芯片可靠性評估的基石，直接關系到芯片的功能完整性。
2、然而，由于工藝制造偏差、芯片長期在高溫環(huán)境下工作或者flash經過多次擦寫等原因，flash存儲單元在兩個狀態(tài)(“1”態(tài)和“0”態(tài))之間的轉換變慢，產生延時故障，出現(xiàn)數(shù)據(jù)丟失或錯誤、功能失效、壽命縮短等后果，對芯片本身及其終端應用產生嚴重影響。例如flash存儲單元故障導致手機/平板無法啟動或頻繁啟動。
3、傳統(tǒng)的可靠性驗證依靠機臺測試或老化測試，但這些測試的擦寫時間固定，無法模擬工藝偏差或環(huán)境變化導致的動態(tài)故障，且測試周期長，成本高。因此，對于fabless運作模式而言，需要一種低成本、高靈活性的測試方法，通過動態(tài)調節(jié)擦寫時間參數(shù)，實現(xiàn)對flash存儲器可靠性的精確評估。
4、現(xiàn)有專利cn201410589708.5“一種閃存可靠性的篩選測試方法”、cn202310182421.x“一種面向長時間存儲的閃存可靠性測試、預測方法”、cn202211339013.2“一種閃存的可靠性測試方法及可靠性測試裝置”，在上述專利中，其測試過程的擦寫時間固定，均未涉及到通過動態(tài)調節(jié)擦寫時間參數(shù)，來進行相關測試的技術方案。
技術實現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的目的在于提出一種評估soc中flash可靠性的測試方法，通過動態(tài)調節(jié)擦、寫、讀時間參數(shù)，在測試資源有限的條件下，精確測定flash存儲器的可靠性及擦、寫、讀的邊界數(shù)據(jù)，實現(xiàn)對flash存儲器可靠性的精確評估。
2、本發(fā)明實現(xiàn)其發(fā)明目的所采用的技術方案是，一種評估soc中flash可靠性的測試方法，包含以下步驟：
3、(1)將外部時鐘接入soc芯片，當作對flash存儲單元進行操作的同步時鐘，所述操作包括擦除、寫入、讀??；
4、(2)設定所述操作時間的初始值，具體而言，當分別進行測試擦除邊界時間、測試寫入邊界時間、測試讀取邊界時間時，需分別設定擦除、寫入、讀取時間的初始值；
5、(3)對flash存儲單元的至少一個塊進行一次操作；
6、(4)讀取所述至少一個塊上的數(shù)據(jù)；
7、(5)判斷讀取出的數(shù)據(jù)是否滿足預設條件，若不滿足，則調整操作時間，轉入步驟(3)，若滿足，則獲得本次測試的flash塊的邊界時間。
8、優(yōu)選地，步驟(2)中設定的擦除、寫入、讀取操作時間的初始值分別小于工藝廠對flash存儲單元建議的擦除、寫入、讀取時間。
9、作為進一步的一種優(yōu)選方案，當測試擦除邊界時間時，步驟(3)中所述進行一次操作具體為擦除數(shù)據(jù)，步驟(4)中讀取數(shù)據(jù)具體為正常讀取數(shù)據(jù)，即按照工藝廠對flash存儲單元的建議讀取時間進行讀取，步驟(5)中的所述預設條件具體為全為“1”，所述調整操作時間為增加擦除時間。
10、作為進一步的另一種優(yōu)選方案，當測試寫入邊界時間時，步驟(3)中所述進行一次操作具體為寫入目標值，步驟(4)中讀取數(shù)據(jù)具體為正常讀取數(shù)據(jù)，即按照工藝廠對flash存儲單元的建議讀取時間進行讀取，步驟(5)中的所述預設條件具體為等于寫入的目標值，所述調整操作時間為增加寫入時間。
11、作為進一步的再一種優(yōu)選方案，當測試讀取邊界時間時，步驟(3)中所述進行一次操作具體為寫入目標值，步驟(4)中讀取數(shù)據(jù)具體為按設定讀取時間讀取數(shù)據(jù)，步驟(5)中的所述預設條件具體為等于寫入的目標值，所述調整操作時間為增加讀取時間。
12、本發(fā)明的有益效果為：
13、本發(fā)明通過動態(tài)調節(jié)擦除、寫入、讀取時間參數(shù)，能在測試資源有限的條件下，低成本地實現(xiàn)精確測定flash存儲器擦除、寫入、讀取的邊界時間數(shù)據(jù)，從而幫助評估芯片產品內部重要數(shù)據(jù)的存放周期，實現(xiàn)對flash存儲器可靠性的精確評估，且為工藝改進、設計加固以及可靠性模型構建提供直接依據(jù)。
1.一種評估soc中flash可靠性的測試方法，其特征在于，包含以下步驟：
2.根據(jù)權利要求1所述的一種評估soc中flash可靠性的測試方法，其特征在于：步驟(2)中設定的擦除、寫入、讀取操作時間的初始值分別小于工藝廠對flash存儲單元建議的擦除、寫入、讀取時間。
3.根據(jù)權利要求2所述的一種評估soc中flash可靠性的測試方法，其特征在于：當測試擦除邊界時間時，步驟(3)中所述進行一次操作具體為擦除數(shù)據(jù)，步驟(4)中讀取數(shù)據(jù)具體為正常讀取數(shù)據(jù)，步驟(5)中的所述預設條件具體為全為“1”，所述調整操作時間為增加擦除時間。
4.根據(jù)權利要求2所述的一種評估soc中flash可靠性的測試方法，其特征在于：當測試寫入邊界時間時，步驟(3)中所述進行一次操作具體為寫入目標值，步驟(4)中讀取數(shù)據(jù)具體為正常讀取數(shù)據(jù)，步驟(5)中的所述預設條件具體為等于寫入的目標值，所述調整操作時間為增加寫入時間。
5.根據(jù)權利要求2所述的一種評估soc中flash可靠性的測試方法，其特征在于：當測試讀取邊界時間時，步驟(3)中所述進行一次操作具體為寫入目標值，步驟(4)中讀取數(shù)據(jù)具體為按設定讀取時間讀取數(shù)據(jù)，步驟(5)中的所述預設條件具體為等于寫入的目標值，所述調整操作時間為增加讀取時間。